N-MOSFET транзистор 2N7000 - 10 шт.

Описание товара: N-MOSFET транзистор 2N7000 - 10 шт.

Однополярный транзистор N-MOSFET THT, 60 В, 0,2 А. Цена указана за 10 штук.

Технические характеристики транзистора

• N-MOSFET однополярный транзистор
• Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 200 мА
• Напряжение затвор-исток: +/- 20 В
• Сопротивление в открытом состоянии: 5 Ом
• Корпус: TO92 (DIP)

N-MOSFET транзистор 2N7000.

N-MOSFET транзистор 2N7000 — 10 шт. — коммутируемый ток до 500 мА

N-тип полевого транзистора с улучшенным каналом 2N7000 является одним из самых популярных дискретных полупроводниковых устройств, используемых как энтузиастами электроники, так и профессиональными разработчиками. Этот компонент может управлять коммутирующими токами до 500 мА. Ближайшим комплементарным аналогом 2N7000 является BS250P, P-MOSFET.

Где можно использовать N-MOSFET транзистор 2N7000?

Транзистор 2N7000 обладает характеристиками насыщения, очень похожими на характеристики транзисторов Дарлингтона. Простейшее применение 2N7000 — коммутация мощности в маломощных схемах, включая миниатюрные лампочки, двигатели и электромагнитные реле. Благодаря высокому входному сопротивлению, затвор транзистора 2N7000 практически не потребляет ток. Для увеличения общей токовой нагрузки N-MOSFET транзисторы 2N7000 можно соединять параллельно с соответствующими выводами.