
495 ₴
Показать оптовые ценыN-MOSFET-транзистор с параметрами Vds 100 В, Id 36 А и сопротивлением 0,044 Ом. Модуль в корпусе ТО-220.
| Товары продаются упаковками по 5 штук. |
Подробности в документации.
Транзистор N-MOSFET IRL540NPBF - THT - 5 шт.
Транзистор IRL540NPBF - THT N-MOSFET (продается в наборе из 5 штук) относится к категории современных полевых транзисторов, позволяющих управлять затвором низковольтными сигналами всего 2 В - благодаря этому для управления МОП-транзистором достаточно подать высокий сан с выхода микроконтроллера, питаемого напряжением 5 В (например, ATmega) или даже 3,3 В (например, ATmega). STM32 или ESP32). Эта полезная особенность отличает IRL540NPBF от обычных МОП-транзисторов с пороговым напряжением открытия затвора 4 В и более.
Еще одним существенным преимуществом транзисторов IRL540NPBF является очень низкое сопротивление цепи сток-исток в полностью открытом состоянии – типичное значение R.ДС (он)составляет всего 44 мОм, что позволяет минимизировать коммутационные потери и существенно снизить нагрев транзисторной структуры даже при работе без теплоотвода.
Предлагаемый нами N-MOSFET транзистор может работать с максимальным током стока до 36 А, а максимальная рассеиваемая мощность (разумеется, при достаточно эффективном охлаждении) может достигать 140 Вт. Специальная полупроводниковая технология, используемая при производстве транзисторов серии IRL540NPBF, позволяет им работать в исключительно широком диапазоне температур – от -40 °C.oC до +175oC, что является отличным результатом, учитывая, что большинство полупроводниковых элементов могут выдерживать температуру не выше 150 °C.oС.
При проектировании схемы с использованием IRL540NPBF следует помнить, что тепловое сопротивление от структуры до корпуса составляет 1,1 Ом.oC/W, и от конструкции к окружающей среде (без радиатора) – 62oС/В.
| Пользовательские характеристики | |
|---|---|
| Вес упаковки | 0,002 кг |
| Высота упаковки | 0,5 см |
| Ширина упаковки | 5 см |
| глубина упаковки | 8 см |