801 ₴
Показать оптовые цены
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Пользовательские характеристики | |
| Код производителя | ОнС |
| Количество каналов | 1 |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) | 1000 |
| Коэффициент усиления постоянного тока - опорное напряжение hFE | 5В |
| Коэффициент усиления постоянного тока - опорный ток hFE | 20 А |
| Модель из каталога производителя | MJ11016G |
| Мощность (макс.) P(TOT) | 200 Вт |
| Напряжение коллектор-эмиттер U(CEO) | 120 В |
| Насыщенность VCE (макс.) | 4 В |
| Продюсер | ON Semiconductor |
| Содержание | 1 шт. |
| Спецификация | НПН |
| Способ установки | для монтажа в отверстия |
| Тип | MJ11016G |
| Тип корпуса | ТО-3 |
| Тип корпуса полупроводника | ТО-3 |
| Тип продукта | Транзистор (БЮТ) - дискретный |
| Ток коллектора I(C) | 30 А |
| Ток утечки коллектора I(CES) | 1 мА |
| Частота перехода f(T) | 4 МГц |
| исполнение | NPN - Дарлингтон |