Корзина

Сейчас у компании нерабочее время. Заказы и сообщения будут обработаны с 09:00 ближайшего рабочего дня (завтра, 16.04)

Apelsin
Контакты
ApelsinПономаренко Юлия Олександровна
село Прилиманськое, улица Центральная, дом 107, Одесса, Украина
+380 (67) 324-81-24
Kievstar
Карта
+380 (67) 324-81-24

Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11016G NPN, тип корпуса TO-3 Н/Д Н/Д

801 ₴

Показать оптовые цены
  • В наличии
  • Оптом и в розницу
  • Код: 3651943444
Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11016G NPN, тип корпуса TO-3 Н/Д Н/Д
Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11016G NPN, тип корпуса TO-3 Н/Д Н/ДВ наличии
801 ₴
+380 (67) 324-81-24
Kievstar
+380 (67) 324-81-24
Kievstar
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Мощный транзистор Дарлингтона ON Semiconductor MJ11016G NPN, тип корпуса TO-3 Н/Д Н/Д

Описание

ON Semiconductor | MJ11016G
Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Пользовательские характеристики
Код производителяОнС
Количество каналов1
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE)1000
Коэффициент усиления постоянного тока - опорное напряжение hFE
Коэффициент усиления постоянного тока - опорный ток hFE20 А
Модель из каталога производителяMJ11016G
Мощность (макс.) P(TOT)200 Вт
Напряжение коллектор-эмиттер U(CEO)120 В
Насыщенность VCE (макс.)4 В
ПродюсерON Semiconductor
Содержание1 шт.
СпецификацияНПН
Способ установкидля монтажа в отверстия
ТипMJ11016G
Тип корпусаТО-3
Тип корпуса полупроводникаТО-3
Тип продуктаТранзистор (БЮТ) - дискретный
Ток коллектора I(C)30 А
Ток утечки коллектора I(CES)1 мА
Частота перехода f(T)4 МГц
исполнениеNPN - Дарлингтон
Информация для заказа
  • Цена: 801 ₴